首次！中国芯片领域取得新突破 改进光刻胶缺点：提升7nm及以下先进制程良率
据国内媒体报道称，我国芯片领域取得新突破，具体来说是在光刻胶领域。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环...
清华大学官宣！EUV光刻胶材料取得重要进展
7月24日消息，据清华大学官网介绍，日前，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供...
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