历史首次！三星将使用长江存储专利技术！
据韩国媒体ZDNetKorea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NANDFlash所需的“混合键合”（Hybrid...
消息称长江存储第二座工厂年底投产 追赶三星和美光
据报道，知情人士今日称，中国存储芯片长商“长江存储”在武汉的第二座工厂最早将于今年年底投产。此举有望进一步缩小长江存储与三星和美光在技术和产量方面的...
长江存储推出 UFS 3.1 高速闪存芯片
4月19日消息，今日长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）宣布推出UFS3.1通用闪存——UC023。据官方介绍，这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪...
长江存储突破128层QLC闪存：业界首次、1.33Tb容量创纪录
2020年4月13日,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)宣布其128层QLC 3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SS...
长江存储：跳过96层 直接量产128层闪存
1月16日，长江存储召开市场合作伙伴年会，并在会前披露了闪存技术方面的一些新情报。就在日前，长江存储确认自主研发的64层已经在去年投入量产(256GbTLC)，并正扩充产能，将尽...
国产SSD将迎来爆发 长江存储自主开发64层3D闪存已量产
根据楚天都市报的报道，长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效，自主开发的64层三维闪存产品实现量产。据介绍，杨道虹表示，当...
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