1月17日讯，据最新媒体报道，在生成式AI技术的强劲推动下，中国内存产业正逐步崭露头角，展现出巨大的增长潜力。
调研机构Counterpoint Research的最新报告揭示，尽管面临技术瓶颈和美国法规的双重考验，中国内存制造商长鑫存储（CXMT）凭借不懈的技术革新和市场拓展，正稳步缩小与国际领先企业的差距。
报告详细分析，到2024年，长鑫存储在全球DRAM总产能中的占比将达到13%，出货量约占6%，营收占比约为3.7%。更有预测指出，到2025年，其产能将逼近美光水平。
当前，长鑫存储在产量和营收上的相对弱势，主要归因于技术上的差距、较低的良品率以及定价策略等问题。然而，这一差距有望随着时间的推移而逐渐缩小。数据显示，2024年长鑫存储每片晶圆的产量虽比竞争者少42%，但预计到2025年这一差距将缩减至32%。
值得一提的是，Counterpoint Research强调，长鑫存储需成功掌握高介电金属闸极（HKMG）晶体管技术，以进一步提升产品的功耗和速度表现。
Counterpoint Research研究总监MS Hwang对此发表看法：“中国内存产业的崛起有可能重塑全球市场格局。尽管在技术和良率方面仍存在挑战，但随着生成式AI和电动汽车等新兴应用带来的旺盛需求，中国有望在中低端市场占据稳固地位。”
此外，长鑫存储在HBM高带宽内存领域也取得了显著进展。公司不仅致力于提升一代HBM的产能，还在二代HBM2技术上取得了重大突破，目前已向客户送样，并预计在年中实现小规模量产。
综上所述，中国内存产业在AI需求的强劲推动下，正迎来前所未有的发展机遇，长鑫存储作为其中的佼佼者，有望在未来几年内实现更大的突破。
