中国国产DUV光刻机迎来里程碑式进步,套刻≤8nm

PigSay 2024-09-15 阅读:142

9 月 15 日消息,工业和信息化部于 9 月 9 日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024 年版)》通知,在文件列表包含国产氟化氪光刻机(110nm),和氟化氩光刻机(65nm)的内容。

中国首台(套)重大技术装备是指国内实现重大技术突破、拥有知识产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品,包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

这两行信息截图如下:



晶圆直径照明波长分辨率套刻
氟化氪(KrF)光刻机300mm248nm≤110nm≤25nm
氟化氩(ArF)光刻机300mm193nm≤65nm≤8nm

氟化氪(KrF)和氟化氩(ArF)两种气体均服务于深紫外(DUV)光刻机,产生深紫外光的准分子激光器。

目前来说,光刻机共经历了五代的发展,从最早的 436 波长,再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line,第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波长的 DUV 激光,这就是 ArF 准分子激光。

图源:平安证券

ArF(氟化氩)准分子激光源光刻机,光源实际波长突破 193nm,缩短为 134nm,NA 值为 1.35,最高可实现 7nm 制程节点。

浸入技术是指让镜头和硅片之间的空间浸泡于液体之中,由于液体的折射率大于 1,使得激光的实际波长会大幅度缩小。

套刻精度就是常说的“多重曝光能达到的最高精度”,按套刻精度与量产工艺 1:3 的关系,这个光刻机大概可以量产 28nm 工艺的芯片。

28 纳米光刻机,是芯片中低端和中高端的分界线,意味着工业独立,中国的空调洗衣机汽车等各类工业品,可以突破西方国家设置的重重封锁,自主生产销售。